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科技DIY大神无损整形加速MOS驱动电路（单波可调宽）附电路图

2022-04-28 12:04:19

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开关电源无论大小功率，也看了好多大功率产品，除了简单普遍的D R Z 结构，也有附加加速关闭的三ji管辅助电路，基本上从理论上都可以实现，但都存在一个损耗问题，驱动是功率转换的方向舵，信号源的传输通道，关系到电源的稳定性，甚至关系到效率。通过一段很长时间的实验测试结果，摸索出这个电路。供朋友们分享。

原理分析：单波驱动与双波（上半波，下半波)驱动，看起来一样，实际不一样。双驱是消隐不需要的另外一半波形，做到加速整形。朋友们要是真需要，我可以上贴个双驱无损整形电路。

单波整形加速驱动有个问题难解决就是三ji管都处在线性状态导致消掉信号近一半幅度，占空比越大，消除越厉害。我在研发有缘钳位正激电源时，对钳位管驱动就遇到不同的结果。查遍参考电路，书籍文献，无非都是理论上没有瑕疵，实际并不是那样。所以就有了找出能调宽，又不损耗的决心。

C1 ， R1 ， Q1 ，R3只是为Q2提供辅助加速，MOS GS关闭放电是由Q2完成。驱动信号正向（上升）分三路：1路经D1整流（单向作用）R2限流（缓冲，这个电阻可以调整波形上升沿的斜度）加到MOS管GSji充电GSc，MOS导通。2路C2，D2快速钳位Q2，Q2（pnp)的c bji保持电位持平，Q2一直截止.3路经C1加速Q1截止。R2为Q2提供偏置，稳定Q1。

驱动信号反向时，1路迅速下降，有D1单向关系，回路不导通，复位损耗为0，反向复位电动势为2路，3路提供Q1 Q2快速导通。由于D2的存在，2路 3路的反向电动势没有回路关系，就 不存在损耗。整个电路D2关键作用，它既能阻断反方向通道，又可以阻断反方向时MOS 的gsV电流对Q2的线性关闭。

测试结果;直接驱动（不加快速驱动）波形有毛刺尖峰，上下沿250NS，对比 ：加上快速驱动电路波形整洁，下降沿50NS，与原始波形一致。驱动电流还小1mA，可能是直接驱动的尖峰能量经整流加以应用的结果。实际上是直接驱动信号是PWM AC-AC，加加速电路有D1，GSc的关系，就成为PWM AC-DC的过程。

为了验证这个电路到底有多神，实拍照片是不会骗你的。先看看直接串R 8.2欧姆驱动波形，（带0260管(60A200V）国产低压MOS管，这个管子是难驱动的烂管，比0275还难驱动

对比：无加速直接驱动(35V 0.034A ) (60V 0.058A) (90v 0.067A)

有加速电路驱动电流情况（35V 0.026A) (60V 0.036A) (90V 0.048A)

提示：三种电压是输入端给IC和驱动电路供电（包括稳压),目的是显示不同占空比，IC芯片是按照输入电压限制不同占空比。波形是测试钳位管隔离变压器驱动输出端。相同MOS管。

有加速驱动明显损耗小了很多，波形整洁没有瑕疵。关闭速度100NS，

把输出波形与隔离变压器（1:1）初级波形做个比较

这是一半占空比初级和次级输出波形，幅度仅仅减低二J管的压减0.7V，波形不但的到整形，关闭速度也可以满足MOS的佳要求，

提示：关闭速度跟Q2三J管的参数也有关，应用是应选择三J管。本例采用S8050 和S8550图腾

对比：无加速直接驱动(35V 0.034A ) (60V 0.058A) (90v 0.067A)

有加速电路驱动电流情况（35V 0.026A) (60V 0.036A) (90V 0.048A)

从这2组数字对比，直接驱动与加速电路驱动，损耗相差巨大，本人认为，这种损耗是隔离变压器的复位期间产生的。

为证实到底加入电路后有没有损耗，早上做了个实验，我拿掉MOS管，同样测试条件

这是不焊上MOS管，留下加速电路的测试波形和供电电流，60V 14mA

再看：断开隔离变压器次级，什么都不带，

供电电流还是 14 mA 断开次级，当然没有波形出现。隔离变压器空载

再看看隔离变压器空耗有多大，

断开了隔离变压器初级隔直电容，供电电流11mA.

从上面测试看，加入的加速电路，确实没有给隔离变压器带来损耗，加入与不加入都是14mA。

断开隔离变压器只剩下11mA电流，，到是隔离变压器有3mA损耗